| 发明名称 | 含银纳米结构体的制造方法和含银纳米结构体 | ||
| 摘要 | 本发明涉及一种削减了后处理工序所花费的时间和废弃物量、且应用了氧化银的还原反应的含银纳米结构体的制造方法，以及一种由该制造方法获得的具有特定结构的含银纳米结构体。详细而言，该制造方法为：通过使聚亚烷基亚胺链上结合了亲水性链段的高分子化合物在介质中分散，然后添加氧化银，并进行该氧化银的还原反应，从而获得含银纳米结构体。使用特定的化合物作为络合剂时，可以获得具有支链结构的结构体。所获得的含银纳米结构体能够作为导电性糊剂等使用。 | ||
| 申请公布号 | CN101678460A | 申请公布日期 | 2010.03.24 |
| 申请号 | CN200880016199.X | 申请日期 | 2008.05.13 |
| 申请人 | DIC株式会社 | 发明人 | 李承泽;金仁华;木村理香;史制强;赵海峰 |
| 分类号 | B22F9/20(2006.01)I;B82B1/00(2006.01)I;B82B3/00(2006.01)I;C08K3/08(2006.01)I;C08L79/02(2006.01)I;H01B1/22(2006.01)I | 主分类号 | B22F9/20(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京林达刘知识产权代理事务所 | 代理人 | 刘新宇;李茂家 |
| 主权项 | 1.一种含银纳米结构体的制造方法，其特征在于，通过使聚亚烷基亚胺链(a)上结合了亲水性链段(b)的高分子化合物(X)在介质中分散，然后添加氧化银(Y)，并进行该氧化银(Y)的还原反应，从而获得含银纳米结构体。 | ||
| 地址 | 日本东京都 | ||