| 发明名称 | 氧化物半导体和包含该氧化物半导体的薄膜晶体管 | ||
| 摘要 | 本发明提供了氧化物半导体和包含所述氧化物半导体的薄膜晶体管(TFT)。一种氧化物半导体包括Zn原子及添加到其中的Hf原子和Cr原子中的至少一种。一种薄膜晶体管(TFT)包括含有氧化物半导体的沟道，氧化物半导体包括Zn原子及添加到其中的Hf原子和Cr原子中的至少一种。 | ||
| 申请公布号 | CN101681933A | 申请公布日期 | 2010.03.24 |
| 申请号 | CN200880020930.6 | 申请日期 | 2008.06.19 |
| 申请人 | 三星电子株式会社 | 发明人 | 金昌桢;李银河;朴永洙;朴宰彻 |
| 分类号 | H01L29/786(2006.01)I | 主分类号 | H01L29/786(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京铭硕知识产权代理有限公司 | 代理人 | 韩明星;薛义丹 |
| 主权项 | 1、一种包括Zn和Hf的氧化物半导体。 | ||
| 地址 | 韩国京畿道 | ||