发明名称 硅基材的加工方法、基加工品和加工装置
摘要 以硅基材(1)作为阳极、以微细的铂部件(2)作为阴极,在它们之间夹有电解液(4)的状况下,在混合存在多孔质形成和电解研磨的两模式的条件下以恒流模式进行阳极氧化。伴随着硅的溶解,铂部件(2)嵌入硅基材(1)中,进行钻孔、切断、单侧按压等的加工。由于使用能量少,能在室温下加工,所以加工表面的结晶品质不会降低。由此,无须使用以往的太阳能电池用硅基材的切断等的加工中的材料消耗大的机械方法和能量单价高的激光等,且不会在加工面上残留结晶损伤,能够高效率地进行高精度的加工。
申请公布号 CN101680106A 申请公布日期 2010.03.24
申请号 CN200880008728.1 申请日期 2008.05.09
申请人 株式会社昆腾14 发明人 蕨迫光纪;岛田寿一;越田信义;伯尔拿德·杰路知;兼堀惠一
分类号 C25F3/12(2006.01)I;B23H3/06(2006.01)I;B23H3/08(2006.01)I;C25D11/32(2006.01)I 主分类号 C25F3/12(2006.01)I
代理机构 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 代理人 王永刚
主权项 1.一种硅基材的加工方法,其特征在于:作为主要的构成要素,使用硅基材、与上述硅基材对置且靠近设置的对置电极、在上述硅基材与上述对置电极之间与这两者相接地夹着的电解液;包含通过以上述硅基材为阳极且以上述对置电极为阴极,在上述硅基材与上述对置电极之间流动电流而使上述硅基材阳极氧化的工序;且通过使上述硅基材与上述对置电极的相对位置随时间变化,一边局部地溶解上述硅基材一边使上述对置电极嵌入上述硅基材的内部,选择性地除去上述硅基材。
地址 日本东京