发明名称 | 嵌入式电容叠层 | ||
摘要 | 提供嵌入制造电容叠层的新方法和新型电容叠层装置,该装置具有用作结构衬底的电容核心,在该电容核心上可添加交替的导电薄片和装载有纳米粉末的介电层并测试可靠性。这种分层和测试允许此电容叠层的介电薄层的早期缺陷检测。电容叠层可经构造后提供多个隔离的电容元件,这些电容元件向一个或多个电气部件提供孤立的、设备特有的解耦电容。电容叠层可用作核心衬底,在其上可耦合多层电路板的多个附加信号层。 | ||
申请公布号 | CN101682989A | 申请公布日期 | 2010.03.24 |
申请号 | CN200880015225.7 | 申请日期 | 2008.03.10 |
申请人 | 新美亚通讯设备有限公司 | 发明人 | 乔治·杜德尼科夫 |
分类号 | H05K1/16(2006.01)I | 主分类号 | H05K1/16(2006.01)I |
代理机构 | 北京安信方达知识产权代理有限公司 | 代理人 | 颜 涛;郑 霞 |
主权项 | 1.一种方法,其用于制造具有高电容密度的电容叠层所述方法包括:形成含有夹在第一个导电层和第二个导电层之间的第一个介电核心层的平面核心电容衬底,其中所述核心电容衬底提供用于耦合附加导电层和介电层的结构刚度;将第二个介电层涂覆于第一个导电薄片,所述第二个介电层包括载有经选择以实现期望介电常数的纳米粉末的非固化或半固化的介电材料;将所述第二个介电层的曝露面耦合至所述第一个导电层;以及固化所述第二个介电层的所述介电材料。 | ||
地址 | 美国加利福尼亚州 |