| 发明名称 | 用于制造半导体器件的方法 | ||
| 摘要 | 本发明的目的是提供一种半导体器件，具体地，提供一种可通过湿法容易地制造的发光元件。本发明的一个特征是包含晶体管和发光元件的发光器件。在所述发光元件中，有机层、发光层、以及第二电极被顺序地形成在第一电极上，并且晶体管通过布线与发光元件电连接。这里，所述布线包含铝、碳和钛。所述有机层是通过湿法形成的。与所述有机层相接触的第一电极是用包含氧化钛的氧化锡铟制成的。 | ||
| 申请公布号 | CN101677083A | 申请公布日期 | 2010.03.24 |
| 申请号 | CN200910204204.6 | 申请日期 | 2005.06.10 |
| 申请人 | 株式会社半导体能源研究所 | 发明人 | 山崎舜平;秋元健吾 |
| 分类号 | H01L21/82(2006.01)I;H01L51/56(2006.01)I;H01L27/32(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/82(2006.01)I |
| 代理机构 | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人 | 申发振 |
| 主权项 | 1.一种用于制造半导体器件的方法，包括：形成包含导电材料和氧化钛的导电膜；用光线照射所述导电膜的至少一部分；在照射光线之后将液体涂覆到所述导电膜的表面上；以及使涂覆到所述导电膜上的液体干燥以形成膜。 | ||
| 地址 | 日本神奈川 | ||