| 发明名称 | 导电纳米线的形成方法 | ||
| 摘要 | 本发明涉及一种制备导电或半导电纳米线的方法。该方法一般地包括如下步骤：在衬底上形成带台阶的原子台面的邻晶表面，沉积掺杂剂材料的分数层以形成宽度小于原子台面的宽度的纳米带，优选地用覆盖层覆盖纳米带和露出的原子台面表面，从而形成多层结构，可选地对多层结构进行退火，从而使掺杂纳米带的原子扩散到衬底和覆盖层中的一个或二者中以形成纳米线。该方法还可以应用于具有规则形貌图案的其它衬底。本发明还涉及使用这些纳米线所制造的各种电子器件。 | ||
| 申请公布号 | CN100595889C | 申请公布日期 | 2010.03.24 |
| 申请号 | CN200680018288.9 | 申请日期 | 2006.05.26 |
| 申请人 | 都柏林伊丽莎白女皇神学院 | 发明人 | S·费尔南德斯-塞瓦略斯;G·马纳伊;I·V·什韦茨 |
| 分类号 | H01L21/225(2006.01)I;H01L29/12(2006.01)I;H01L29/10(2006.01)I;H01L21/20(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/225(2006.01)I |
| 代理机构 | 永新专利商标代理有限公司 | 代理人 | 王 英 |
| 主权项 | 1、一种制备导电或半导电纳米线(15)阵列的方法，包括如下步骤：a)在衬底(100)上形成带台阶的原子台面(2)的邻晶表面(1)；b)沉积掺杂剂材料的分数层，并使用所沉积的掺杂剂材料的分数层以形成宽度小于所述原子台面的宽度的掺杂纳米带(10)；其中掺杂纳米带的原子扩散到所述衬底中形成纳米线(15)。 | ||
| 地址 | 爱尔兰都柏林 | ||