| 发明名称 | 一种半导体元件及其形成方法 | ||
| 摘要 | 本发明是有关于一种半导体元件及其形成方法。在基板上形成一栅极堆叠。利用掺杂剂沉积出一原子层，并进行退火工艺以使得掺杂剂扩散至位于栅极堆叠二对侧上的基板部分中，而形成超浅接面。在形成原子层之前，可在基板上形成多个凹陷，且可利用磊晶工艺填充该些凹陷。可将上述沉积、退火以及磊晶生长(若有的话)重复数次，直到得到所需接面为止。也可在栅极堆叠的二对侧上形成源极/漏极区域。 | ||
| 申请公布号 | CN101677063A | 申请公布日期 | 2010.03.24 |
| 申请号 | CN200910143052.3 | 申请日期 | 2009.05.25 |
| 申请人 | 台湾积体电路制造股份有限公司 | 发明人 | 林俊成;余振华 |
| 分类号 | H01L21/336(2006.01)I;H01L21/22(2006.01)I;H01L21/82(2006.01)I;H01L29/78(2006.01)I;H01L29/06(2006.01)I;H01L27/02(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/336(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京中原华和知识产权代理有限责任公司 | 代理人 | 寿 宁;张华辉 |
| 主权项 | 1、一种形成一半导体元件的方法，其特征在于该方法至少包含以下步骤：提供一基板，其具有一栅极堆叠形成于其上；在该基板中形成重掺杂源极/漏极区域于该基板的相对侧上；形成一掺杂剂的一原子层于该基板中该栅极堆叠的相对侧的一表面上；以及退火该基板，从而在该基板中该栅极堆叠的相对侧上形成超浅接面。 | ||
| 地址 | 中国台湾新竹市新竹科学工业园区力行六路8号 | ||