| 发明名称 | 半导体激光装置及其制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种半导体激光装置及其制造方法。半导体激光装置包括：主面的晶面方位为(1-100)的基板(11)，形成在基板(11)上且具有条状光波导部的半导体叠层体(12)，以及形成在基板(11)上的出射端面的至少一部分的多个锥状突起部(13)。出射端面的晶面方位为(000-1)。 | ||
| 申请公布号 | CN101682171A | 申请公布日期 | 2010.03.24 |
| 申请号 | CN200980000087.X | 申请日期 | 2009.01.08 |
| 申请人 | 松下电器产业株式会社 | 发明人 | 小野泽和利;田村聪之 |
| 分类号 | H01S5/343(2006.01)I;H01S5/22(2006.01)I | 主分类号 | H01S5/343(2006.01)I |
| 代理机构 | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人 | 汪惠民 |
| 主权项 | 1.一种半导体激光装置，是用氮化物半导体构成的端面出射式半导体激光装置，其特征在于：包括：基板，由六方晶氮化物半导体形成，主面的晶面方位为(1-100)，半导体叠层体，形成在所述基板上，具有条状光波导部，以及多个锥状突起部，形成在所述基板上的出射端面的至少一部分；所述出射端面的晶面方位为(000-1)。 | ||
| 地址 | 日本大阪府 | ||