| 发明名称 | 掩膜图案及其形成方法、涂料组合物的制备方法、和制造半导体器件的方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开了用于半导体器件制造的掩膜图案，其包括在半导体衬底上形成的抗蚀图案、和在抗蚀图案上形成的共聚体复合膜，其聚体复合膜包括通过在质子供体聚合物和质子受体聚合物之间的氢键形成的网络。 | ||
| 申请公布号 | CN100595670C | 申请公布日期 | 2010.03.24 |
| 申请号 | CN200510064902.2 | 申请日期 | 2005.04.08 |
| 申请人 | 三星电子株式会社 | 发明人 | 畑光宏;夏政焕;金贤友;禹相均 |
| 分类号 | G03F1/00(2006.01)I;G03F7/20(2006.01)I;H01L21/027(2006.01)I | 主分类号 | G03F1/00(2006.01)I |
| 代理机构 | 中原信达知识产权代理有限责任公司 | 代理人 | 樊卫民;郭国清 |
| 主权项 | 1.一种用于半导体器件制造的掩膜图案，其包括：在半导体衬底上形成的抗蚀图案；和在抗蚀图案上形成的共聚体复合膜，其中该共聚体复合膜包括通过在质子供体聚合物和质子受体聚合物之间的氢键形成的网络，其中所述质子受体聚合物包括第一重复单元，其中该第一重复单元包括具有酰氨基的单体单元，且其中所述质子供体聚合物包括第一重复单元，其中该第一重复单元是具有羧基或磺基的马来酸单体单元。 | ||
| 地址 | 韩国京畿道 | ||