| 发明名称 | 半导体堆叠管芯/晶片构造和封装及其方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种允许晶片上堆叠的晶片(120，122)或管芯(154)使用同一设计或仅改变一些层(例如，金属互连层)的设计的倒易对称性设计。翻转或旋转一个管芯或晶片允许堆叠的管芯彼此相互具有倒易取向，这可以用于减少垂直地堆叠的管芯和/或晶片之间的互连(270-279，89-80)。翻转和/或旋转还可以在晶片和/或管芯被堆叠时被用于改善散热。堆叠晶片或管芯然后可以被封装。 | ||
| 申请公布号 | CN100595878C | 申请公布日期 | 2010.03.24 |
| 申请号 | CN200680033654.8 | 申请日期 | 2006.08.30 |
| 申请人 | 飞思卡尔半导体公司 | 发明人 | S·K·波兹德;S·M·阿拉姆;R·E·琼斯 |
| 分类号 | H01L21/00(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/00(2006.01)I |
| 代理机构 | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人 | 郭 放 |
| 主权项 | 1、一种半导体堆叠器件结构，包括：第一电路层，具有用于实现预定功能的预定电路布图并且具有关于第一轴的倒易设计对称性；第一组多个接触焊盘，覆盖所述第一电路层，该第一组多个接触焊盘的至少一部分与所述第一电路层电连接；第二组多个接触焊盘，与所述第一组多个接触焊盘的至少一部分电接触；以及第二电路层，具有所述第一电路层的预定电路布图的倒易电路布图，以倒易取向覆盖所述第一电路层，该第二电路层与所述第二组多个接触焊盘的至少一部分电连接，其中，所述第二电路层所具有的所述倒易电路布图的所述倒易取向是通过将所述倒易电路布图关于第二轴旋转180度并将所获得的旋转后的第二电路层与所述第二组多个接触焊盘覆盖在所述第一组多个接触焊盘上而得到的，所述第一轴和所述第二轴重叠为同一个轴。 | ||
| 地址 | 美国得克萨斯 | ||