薄膜晶体管制造方法、液晶显示装置制造方法、电极形成方法

摘要

本发明涉及薄膜晶体管制造方法、液晶显示装置制造方法以及电极形成方法。防止电极从基板或硅层发生剥离。将以铜为主要成分的第一铜薄膜(13)暴露在氨气中进行表面处理后，在配置有处理对象物(10)的环境中产生含有硅烷气体和氨气的原料气体的等离子体，在第一铜薄膜(13)的表面形成氮化硅膜。在氨气中预先进行表面处理，从而防止硅烷气体扩散到第一铜薄膜(13)，因此由被进行了表面处理的第一铜薄膜(13)构成的电极不从玻璃基板(11)或硅层剥离，并且电阻值也不变高。

主权项

1.一种制造薄膜晶体管的薄膜晶体管制造方法，该薄膜晶体管具有：栅极电极，与玻璃基板紧贴配置；栅极绝缘膜，配置在所述栅极电极的表面，由氮化硅薄膜构成；半导体层，配置在所述栅极绝缘膜上，其特征在于，在所述玻璃基板表面形成以铜为主要成分的构成所述栅极电极的第一铜薄膜，在将所述第一铜薄膜的表面露出的所述玻璃基板配置在真空槽内的状态下，向所述真空槽内导入含有氨气的处理气体，在所述真空槽内部不产生等离子体的情况下，将所述第一铜薄膜的表面暴露在所述氨气中进行表面处理，然后，在所述真空槽内导入添加了在化学结构中含有Si和H的硅化合物气体和在化学结构中含有氮的含氮气体的原料气体，形成所述原料气体的等离子体，在所述第一铜薄膜的表面生长所述氮化硅薄膜。