| 发明名称 | GaN系氮化物半导体自立基板的制作方法 | ||
| 摘要 | 本发明的课题是通过简单的工序以低成本提供无应力的GaN系氮化物半导体自立基板的制作方法。该GaN系氮化物半导体自立基板的制作方法包括下述工序：准备基板的工序；在该基板上形成GaN点和NH<sub>4</sub>Cl层的工序；在GaN点和NH<sub>4</sub>Cl层上形成低温GaN缓冲层的工序；在低温GaN缓冲层上形成GaN系氮化物半导体层的工序；通过使基板温度恢复到常温而使GaN系氮化物半导体层从基板上自然剥离的工序。 | ||
| 申请公布号 | CN101680114A | 申请公布日期 | 2010.03.24 |
| 申请号 | CN200880016999.1 | 申请日期 | 2008.05.22 |
| 申请人 | 国立大学法人东北大学 | 发明人 | 八百隆文;曹明焕 |
| 分类号 | C30B29/38(2006.01)I;C30B25/18(2006.01)I | 主分类号 | C30B29/38(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京三友知识产权代理有限公司 | 代理人 | 丁香兰;张志楠 |
| 主权项 | 1、一种GaN系氮化物半导体自立基板的制作方法，所述方法包括下述工序：准备基板的工序；在该基板上形成GaN点和NH4Cl层的工序；在GaN点和NH4Cl层上形成由III-V族氮化物半导体构成的低温缓冲层的工序；在低温缓冲层上形成GaN系氮化物半导体层的工序；和通过使基板温度恢复到常温而使GaN系氮化物半导体层从基板上自然剥离的工序。 | ||
| 地址 | 日本宫城县 | ||