集成半导体非易失性存储器的控制方法

摘要

本发明涉及半导体存储器件，提供用于使非易失性半导体存储器件稳定动作的动作方式。在分离式栅极结构的非易失性半导体存储器件中，在进行热空穴注入的情况下，使用没有时间变化的交点，进行热空穴注入动作的校验。由此，可以进行擦除状态的验证而不考虑经过时间变化。此外，通过多次在栅极部分上施加脉冲电压或多级阶跃电压来进行写入或写入/擦除。

主权项

1.一种集成半导体非易失性存储器的控制方法，其特征在于，该集成半导体非易失性存储器包括：第1场效应晶体管，具有第1栅极，该第1栅极具备间隔着绝缘膜形成在半导体衬底上的栅电极；第2场效应晶体管，与所述第1场效应晶体管相邻，具有间隔着电荷积蓄膜形成在所述半导体衬底上的第2栅电极；第1沟道，形成在所述第1场效应晶体管下方的所述半导体衬底内；第2沟道，在所述第2场效应晶体管的下方的所述半导体衬底内，以与所述第1沟道电连接的方式相邻形成；以及第1杂质扩散层和第2杂质扩散层，在所述第1沟道的一端侧和所述第2沟道的另一端侧分别形成，以便插入被形成了所述第1沟道和所述第2沟道的所述半导体衬底的区域；在上述集成半导体非易失性存储器的控制方法中，通过向所述第2栅电极提供电压并将空穴从所述半导体衬底的一侧注入到所述电荷积蓄膜而执行写入或擦除；通过向所述第2栅电极多次反复施加脉冲来执行所述写入或擦除；执行所述写入或擦除时，包括第1期间和所述第1期间之后的第2期间；在所述第2期间向所述第2栅电极提供校验电压，在所述第1期间不向所述第2栅电极提供校验电压。