| 发明名称 | 干式蚀刻方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种即便对基板的两面进行干式蚀刻也不会发生基板裂开的干式蚀刻方法。向真空室内导入由氟碳气体和稀有气体构成的蚀刻气体，使真空室内为规定的压力，并产生等离子体，对在设置于基板载置部的导热性薄片的粘接面上紧密粘贴的被处理基板实施蚀刻加工。 | ||
| 申请公布号 | CN101681826A | 申请公布日期 | 2010.03.24 |
| 申请号 | CN200880015914.8 | 申请日期 | 2008.05.08 |
| 申请人 | 爱发科股份有限公司 | 发明人 | 森川泰宏;邹红红;林俊雄;佐藤正幸 |
| 分类号 | H01L21/306(2006.01)I;H01L21/3065(2006.01)I;H01L41/18(2006.01)I;H01L41/22(2006.01)I;H03H3/02(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/306(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京集佳知识产权代理有限公司 | 代理人 | 雒运朴;李 伟 |
| 主权项 | 1.一种干式蚀刻方法，其特征在于，向真空室内导入由氟碳气体和稀有气体构成的蚀刻气体，使真空室内为规定的压力并产生等离子体，对在设置于基板载置部的导热性薄片的粘接面上紧密粘贴着的被处理基板实施蚀刻加工。 | ||
| 地址 | 日本神奈川县 | ||