| 发明名称 | TFT性能测试装置及其制造方法和TFT性能测试方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种TFT性能测试装置及其制造方法和TFT性能测试方法，其中TFT性能测试装置包括设置在阵列基板空闲区域的至少一个测试TFT，测试TFT包括：第二栅电极，设置在基板上；第二栅绝缘层，形成在第二栅电极上；第二非晶硅层，形成在第二栅绝缘层上；第二源电极、第二漏电极以及至少一个测试电极，形成在第二非晶硅层上；第二漏电极和第二源电极之间形成TFT沟道；测试电极设置在第二源电极和第二漏电极之间；第二掺杂非晶硅层，形成在第二源电极与第二非晶硅层之间、第二漏电极与第二非晶硅层之间以及测试电极与所述第二非晶硅层之间。本发明提供的TFT性能测试装置可以实现液晶显示器中TFT的沟道特性测试。 | ||
| 申请公布号 | CN101677094A | 申请公布日期 | 2010.03.24 |
| 申请号 | CN200810222370.4 | 申请日期 | 2008.09.17 |
| 申请人 | 北京京东方光电科技有限公司 | 发明人 | 于洪俊;黄婕妤;肖光辉;吴昊 |
| 分类号 | H01L23/544(2006.01)I;H01L21/00(2006.01)I;H01L21/66(2006.01)I | 主分类号 | H01L23/544(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京同立钧成知识产权代理有限公司 | 代理人 | 刘 芳 |
| 主权项 | 1、一种TFT性能测试装置，其特征在于，包括在液晶显示器制作过程中设置在阵列基板上空闲区域上的至少一个测试TFT，所述测试TFT包括：第二栅电极，设置在所述阵列基板上；第二栅绝缘层，形成在所述第二栅电极上；第二非晶硅层，形成在所述第二栅绝缘层上；第二源电极、第二漏电极以及至少一个测试电极，形成在所述第二非晶硅层上；所述第二漏电极和所述第二源电极之间形成TFT沟道；所述至少一个测试电极设置在所述第二源电极和所述第二漏电极之间；第二掺杂非晶硅层，形成在所述第二源电极与所述第二非晶硅层之间、所述第二漏电极与所述第二非晶硅层之间以及所述测试电极与所述第二非晶硅层之间。 | ||
| 地址 | 100176北京市经济技术开发区西环中路8号 | ||