在集成电路生产中的使用铜大马士革后道工艺的制造方法

摘要

本发明依靠光敏材料平坦表面和使用反刻工艺，对物理气相淀积后的氮化钽/钽金属层进行选择性刻蚀，随后完成铜化学电镀后，仅采用一次金属铜化学机械抛光，替代原先铜化学机械抛光和氮化钽/钽金属层化学机械抛光的两次抛光工艺，降低由于多次化学机械抛光以及过研磨(over-polishing)而产生的金属导线凹陷(Dishing)和金属/绝缘介质被腐蚀(Erosion)的不良反应，提高产品良率。

主权项

1、一种在集成电路生产中的使用铜大马士革后道工艺的制造方法，其特征在于：在铜大马士革后道工艺制造中，形成顶层刻蚀阻挡层，在该顶层刻蚀阻挡层、大马士革介质层、底层铜金属层上物理气相淀积氮化钽/钽金属层后，使用光敏感材料填充大马士革图形进行表面平坦化，通过光刻打开刻蚀窗口，并利用反刻工艺对所述顶层刻蚀阻挡层上的氮化钽/钽金属层进行刻蚀，再进行铜籽晶淀积、铜电镀、铜化学机械抛光，完成大马士革制造。