| 发明名称 | 半导体装置、电子器具以及制造半导体装置的方法 | ||
| 摘要 | 本发明涉及半导体装置、电子器具以及制造半导体装置的方法，其目的在于提供提高材料的使用效率且简化制造步骤的半导体装置、显示装置以及其制造技术。此外，另一个目的在于提供将构成这些半导体装置、显示装置的布线等的图形以高控制性形成为所希望的形状的技术。在喷射由包含导电性材料的组合物构成的多个液滴的第一喷射步骤中，将第一液滴喷射为其中心位置位于第一线上，在喷射多个液滴的第二喷射步骤中，将第二液滴向第一液滴之间喷射并使其中心位置位于平行于第一线的第二线上，来形成具有连续波状形状的侧端部分的导电层。 | ||
| 申请公布号 | CN101677111A | 申请公布日期 | 2010.03.24 |
| 申请号 | CN200910205017.X | 申请日期 | 2006.01.23 |
| 申请人 | 株式会社半导体能源研究所 | 发明人 | 伊佐敏行;森末将文;川俣郁子 |
| 分类号 | H01L29/786(2006.01)I;H01L27/088(2006.01)I;H01L27/04(2006.01)I;H01L21/77(2006.01)I;G02F1/1368(2006.01)I;G09F9/33(2006.01)I | 主分类号 | H01L29/786(2006.01)I |
| 代理机构 | 上海专利商标事务所有限公司 | 代理人 | 李 玲 |
| 主权项 | 1.一种半导体装置，包括：包括半导体层的薄膜晶体管，其中所述半导体层包括氧化锌，并且其中所述薄膜晶体管为多栅结构。 | ||
| 地址 | 日本神奈川县 | ||