| 发明名称 | 含有隐埋集电极的光电晶体管 | ||
| 摘要 | 提供了应用于图像传感器的光电晶体管。该光电晶体管通过包括隐埋集电极，能够减少产生在光电晶体管中的暗电流和提高弱光下的灵敏度，而且不会干扰相邻像素或产生图像延迟。在包括隐埋集电极的光电晶体管中，因为集电极不直接连接外部，所以该光电晶体管有低的暗电流和弱光下的高光敏特性。因为每个图像传感器都是独立的，所以不会产生像素间的干扰和图像延迟。 | ||
| 申请公布号 | CN101681954A | 申请公布日期 | 2010.03.24 |
| 申请号 | CN200880016260.0 | 申请日期 | 2008.05.07 |
| 申请人 | （株）赛丽康 | 发明人 | 李炳洙 |
| 分类号 | H01L31/10(2006.01)I | 主分类号 | H01L31/10(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京英赛嘉华知识产权代理有限责任公司 | 代理人 | 余 朦;王艳春 |
| 主权项 | 1.包含隐埋集电极的光电晶体管，所述光电晶体管包括：第一传导的发射极；第二传导的基极；和隐埋在所述基极中的第一传导的集电极。 | ||
| 地址 | 韩国首尔 | ||