| 发明名称 | 电阻变化型非易失性存储元件及其制作方法 | ||
| 摘要 | 本发明的目的在于提供一种具备可利用简单且容易的工序实现的电流路径并能够微细化的电阻变化型非易失性存储元件。本发明的电阻变化型非易失性存储元件的特征在于，包括：第一电极(203)；在上述第一电极(203)上形成于且电阻根据施加电压而变化的氧化物半导体层(204a)；配置于上述氧化物半导体层(204a)上的、直径为2nm以上且10nm以下的金属纳米粒子(204b)；在上述氧化物半导体层(204a)上和上述金属纳米粒子(204b)上形成的隧道阻挡层(204c)；和在上述隧道阻挡层(204c)上形成的第二电极(206)，上述金属纳米粒子(204b)和上述氧化物半导体层(204a)接触。 | ||
| 申请公布号 | CN101681912A | 申请公布日期 | 2010.03.24 |
| 申请号 | CN200880015311.8 | 申请日期 | 2008.11.28 |
| 申请人 | 松下电器产业株式会社 | 发明人 | 吉井重雄;山下一郎 |
| 分类号 | H01L27/10(2006.01)I;H01L45/00(2006.01)I;G11C13/00(2006.01)I;H01L49/00(2006.01)I | 主分类号 | H01L27/10(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京尚诚知识产权代理有限公司 | 代理人 | 龙 淳 |
| 主权项 | 1.一种电阻变化型非易失性存储元件，包括：第一电极；在所述第一电极上形成且电阻根据施加电压而变化的氧化物半导体层；在所述氧化物半导体层上配置的、直径为2nm以上且10nm以下的金属纳米粒子；在所述氧化物半导体层上和所述金属纳米粒子上形成的隧道阻挡层；和在所述隧道阻挡层上形成的第二电极，所述金属纳米粒子和所述氧化物半导体层接触。 | ||
| 地址 | 日本大阪府 | ||