半导体级硅的等离子体喷涂

摘要

一种设计用来喷涂半导体级硅以形成包括p-n结的半导体结构的等离子体喷涂枪(10)，其包括多个诸如阴极(16)或阳极(20)之类的部件或其它面向等离子体或携有硅粉末的具有至少多个由高纯度硅形成的表面部件。该些半导体杂质可包括在该喷涂硅中。

主权项

1.一种用来激发一电弧气体流内的一等离子体的等离子体枪，其中该枪面向该等离子体或一粉末流的多个部件中至少一部件的一表面部分实质上是由硅构成。