| 发明名称 | 操作存储器电路的电子装置和方法 | ||
| 摘要 | 本发明涉及一种电子装置，其包括形成在半导体衬底(10)上的介电层(12)。具有第一长度的多晶硅熔丝结构(14)形成在介电层(12)上面。该多晶硅熔丝结构的第一及第二部分(141，142)被硅化，其中，而邻接于多晶硅熔丝的该第一部分(141)及第二部分(142)的该多晶硅熔丝结构(114)的第三部分(143)保持未硅化。 | ||
| 申请公布号 | CN101681879A | 申请公布日期 | 2010.03.24 |
| 申请号 | CN200880015155.5 | 申请日期 | 2008.04.22 |
| 申请人 | 飞思卡尔半导体公司 | 发明人 | 闵元基;左将凯 |
| 分类号 | H01L21/82(2006.01)I;H01L27/04(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/82(2006.01)I |
| 代理机构 | 中原信达知识产权代理有限责任公司 | 代理人 | 穆德骏;陆锦华 |
| 主权项 | 1.一种形成电子装置的方法，包括：形成处于半导体衬底上面的介电层；形成处于所述介电层上面的熔丝元件的半导体结构；以及硅化所述半导体结构的第一部分和所述半导体结构的第二部分，其中，未被硅化的所述半导体结构的第三部分邻接所述第一部分和第二部分，且所述第三部分位于所述第一部分和第二部分之间。 | ||
| 地址 | 美国得克萨斯 | ||