解决非易失性存储器SiO2/SiN/SiO2叠层残留的制造方法

摘要

本发明提供一种解决非易失性存储器(NVM)SiO2/SiN/SiO2叠层残留的制造方法，针对现有制造方法不能清除侧壁上的SiO2/SiN/SiO2叠层残留而发明，包含下列步骤：提供半导体衬底，在衬底上进行第一次多晶硅刻蚀，并在衬底上设置浅槽隔离区域；沉积氧化物填充薄膜于间隙中；大面积回蚀填充于多晶硅间隙中的氧化物，用于平坦化第一层多晶硅阵列中的间隙，从而在高压器件上形成间隔层；沉积SiO2/SiN/SiO2叠层薄膜；移除逻辑器件上的SiO2/SiN/SiO2叠层薄膜；沉积第二层多晶硅薄膜，用于形成浮置栅结构；刻蚀第二层多晶硅；刻蚀SiO2/SiN/SiO2三明治叠层薄膜层；刻蚀第一层多晶硅；刻蚀空隙填充薄膜层和间隔层氧化物。本发明实现了对遗留于侧壁的SiO2/SiN/SiO2三明治叠层的完全移除，提高产品的存储性能。

主权项

1.一种解决非易失性存储器SiO2/SiN/SiO2叠层残留的制造方法，其特征在于，包含下列步骤：步骤1：提供一含有一主要表面的半导体衬底，在该衬底上进行第一次多晶硅刻蚀，并在衬底上设置一浅槽隔离区域；步骤2：沉积一氧化物填充薄膜于多晶硅间隙中；步骤3：大面积回蚀填充于多晶硅阵列间隙中的氧化物，用于平坦化第一层多晶硅阵列中的间隙，从而在高压器件上形成一间隔层；步骤4：沉积SiO2/SiN/SiO2叠层薄膜；步骤5：移除逻辑器件上的SiO2/SiN/SiO2叠层薄膜；步骤6：沉积第二层多晶硅薄膜，用于形成浮置栅结构；步骤7：刻蚀第二层多晶硅；步骤8：刻蚀SiO2/SiN/SiO2叠层薄膜层；步骤9：刻蚀第一层多晶硅；步骤10：刻蚀空隙填充薄膜层和间隔层氧化物。