发明名称 |
用于浮体单元内存的读出装置及其方法 |
摘要 |
一种内存装置(100),包含内存阵列(memory array)(102)及读出放大器(sense amplifier)(108)。该内存阵列(102)包含组构成储存位值(bitvalue)的浮体单元(floating body cell)(320、420)。该读出放大器(108)包含:位输出端,组构成提供代表该位值之输出电压;以及参考源(reference source)(302),组构成提供参考电压(reference voltage)。该读出放大器(108)复包含:电流镜(current mirror)(330、430),组构成基于该参考电压来提供电流至该第一浮体单元(320、420);以及微分放大器电路(differential amplifier circuit)(332、432),组构成基于该参考电压以及由于施加该电流至该浮体单元(320、420)而跨接于该浮体单元(320、420)的电压来决定该输出电压。 |
申请公布号 |
CN101681666A |
申请公布日期 |
2010.03.24 |
申请号 |
CN200780046338.9 |
申请日期 |
2007.12.13 |
申请人 |
先进微装置公司 |
发明人 |
M·A·德雷森;J·J·吴;D·R·韦斯 |
分类号 |
G11C7/06(2006.01)I;G11C11/4091(2006.01)I;G11C11/404(2006.01)I |
主分类号 |
G11C7/06(2006.01)I |
代理机构 |
北京戈程知识产权代理有限公司 |
代理人 |
程 伟;王锦阳 |
主权项 |
1、一种内存装置(100),包括:内存阵列(102),包括储存第一位值的第一浮体单元(320);以及读出放大器(108)装置,包括:第一位输出端,用以提供代表该第一位值的第一输出电压;参考源(302),用以提供参考电压;第一电流镜(330),用以基于该参考电压将第一电流提供给该第一浮体单元(320);以及第一微分放大器电路(332),用以基于该参考电压以及由于将该第一电流施加给该第一浮体单元(320)而产生的跨接于该第一浮体单元(320)的电压来决定该第一输出电压。 |
地址 |
美国加利福尼亚州 |