| 发明名称 | 具有电流减小结构的发光器件和形成具有电流减小结构的发光器件的方法 | ||
| 摘要 | 公开了一种发光器件，包括：p型半导体层、n型半导体层以及所述n型半导体层和所述p型半导体层之间的有源区域。诸如引线焊盘之类的不透明部件位于所述p型半导体层上或与所述p型半导体层相对的n型半导体层上，以及导电性减小区域位于所述p型半导体层或n型半导体层中，并且与所述不透明部件对齐。所述导电性减小区域从与所述n型半导体层相对的所述p型半导体层的表面向有源区域延伸和/或从与所述p型半导体层相对的n型半导体层表面向有源区域延伸。 | ||
| 申请公布号 | CN101681961A | 申请公布日期 | 2010.03.24 |
| 申请号 | CN200880015255.8 | 申请日期 | 2008.02.19 |
| 申请人 | 克里公司 | 发明人 | D·T·埃默森;K·哈贝雷恩;M·J·伯格曼;D·斯拉特;M·多诺夫里奥;J·埃蒙德 |
| 分类号 | H01L33/00(2006.01)I | 主分类号 | H01L33/00(2006.01)I |
| 代理机构 | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人 | 张雪梅;李家麟 |
| 主权项 | 1.一种发光器件，包括：p型半导体层、n型半导体层以及所述n型半导体层和所述p型半导体层之间的有源区域；所述p型半导体层或与所述p型半导体层相对的n型半导体层上的不透明部件；以及导电性减小区域，在所述p型半导体层中，并且与所述不透明部件对齐，所述导电性减小区域从与所述n型半导体层相对的所述p型半导体层的表面向有源区域延伸。 | ||
| 地址 | 美国北卡罗来纳州 | ||