一种存储单元阵列的制造方法与存储装置

摘要

本发明是有关于一种存储单元阵列的制造方法与存储装置，其是基于蘑菇状相变化存储单元阵列，其是由形成一分离层于一接点阵列之上、形成一隔离层于分离层之上、以及由蚀刻工艺形成一存储元件开口阵列于隔离层之中而完成。蚀刻掩膜是形成于存储元件开口中，其形成方法是补偿了存储元件开口的尺寸变化，因为开口的尺寸变化会受到蚀刻工艺的影响。蚀刻掩膜是用以蚀刻穿过分离层以定义一电极开口阵列。电极材料是沉积于电极开口之中；以及存储元件是形成于存储元件开口中。这些存储元件以及底电极是为自动对准的。

主权项

1、一种存储单元阵列的制造方法，其特征在于，包括：形成一分离层于一基板上，该基板具有一接点阵列；形成一隔离层于该分离层之上并覆盖该接点阵列，该隔离层包括一材料其蚀刻特征是与该分离层不同；利用一图案化工艺而形成一存储元件开口阵列于该隔离层中、该接点阵列之上的位置；形成蚀刻掩膜于该开口阵列中的所述存储元件开口中；利用所述蚀刻掩膜而蚀刻穿透该分离层而定义一电极开口阵列，该电极开口阵列是外露出在该接点阵列中的对应接点；在所述电极开口中形成电极，以形成一底电极阵列而连接至该接点阵列中的对应接点，所述底电极是自动对准至该存储元件开口阵列中的对应开口、并且位于所述开口的中心；形成存储元件于该存储元件开口阵列之中、该底电极阵列之上，所述存储元件包括可程序电阻材料，其中该存储元件具有底表面其具有一底表面积，且该底电极具有一顶表面其表面积小于该对应存储元件的该底表面积；以及形成与所述存储元件连接的顶电极。