半导体装置以及具备该半导体装置的电源和运算处理装置

摘要

本发明提供一种半导体装置(301)，该半导体装置(301)具备：晶体管(M2)，其具有与被提供第一电源电压的第一电源节点耦合的第一电极、第二电极，并向温度检测元件(TD1～TD12)提供基准电流；包括第一半导体区域和第二半导体区域的扩散电阻(R1)，所述第一半导体区域具有与第一电源节点耦合的电位固定节点，所述第二半导体区域具有与晶体管(M2)的第二电极耦合的第一电阻节点、与提供第二电源电压的第二电源节点耦合的第二电阻节点，并形成在第一半导体区域的表面上；漏电流修正电路(CR1)，其使与经过电位固定节点和第二电阻节点而流过的电流大致相同大小且相同方向的电流，不经过扩散电阻(R1)而经过晶体管(M2)流过。

主权项

1、一种半导体装置，具备：为了流过规定值以上的电流而应施加的电压随着周围温度变化的温度检测元件(TD1～TD12)；和为了通过所述温度检测元件(TD1～TD12)流过所述规定值以上的基准电流，向所述温度检测元件(TD1～TD12)施加电压的恒流源(IS)；所述恒流源(IS)包括：基准电流晶体管(M2)，其具有与被提供第一电源电压的第一电源节点耦合的第一导通电极、第二导通电极，并输出所述基准电流；和第一扩散电阻(R1)；所述第一扩散电阻(R1)包括：第一导电型的第一半导体区域(52)，其具有与所述第一电源节点耦合的第一电位固定节点；和第二导电型的第二半导体区域(54)，其具有与所述基准电流晶体管(M2)的第二导通电极耦合的第一电阻节点、与被提供第二电源电压的第二电源节点耦合的第二电阻节点，并且在所述第一半导体区域(52)的表面上与所述第一电位固定节点分离而形成；该半导体装置还具备第一漏电流修正电路(CR1)，其使与经过所述第一电位固定节点和所述第二电阻节点而流过所述第一电源节点与所述第二电源节点之间的电流大致相同大小且相同方向的电流，不经过所述第一扩散电阻(R1)而经所述基准电流晶体管(M2)流过所述第一电源节点与所述第二电源节点之间。