反向阻断二极晶闸管

摘要

本实用新型的名称为反向阻断二极晶闸管。属于功率半导体器件技术领域。它主要是解决现有二极晶闸管存在正常工作峰值电流不够大、di/dt不够高和可靠性不高的问题。它的主要特征是包括管壳和封装在该管壳内的晶闸管芯片，该芯片为P1阳极发射区、N1长基区、P2短基区、N2阴极发射区四层结构，P1阳极发射区外为烧结欧姆接触层和阳极钼片，N2阴极发射区设有阴极表面金属镀层，晶闸管芯片台面设有保护胶层，晶闸管芯片中心部位设有浓度高于N2阴极发射区浓度、结深大于或等于N2阴极发射区结深的高浓度N区，形成阴极沟道。本实用新型具有正常工作峰值电流大、di/dt高、重复率高、快速开关能力强和可靠性高的特点，主要应用于雷达调制器和激光脉冲等领域。

主权项

1、一种反向阻断二极晶闸管，包括管壳和封装在该管壳内的晶闸管芯片，晶闸管芯片为P1阳极发射区(3)、N1长基区(4)、P2短基区(5)、N2阴极发射区(6)四层结构，P1阳极发射区(3)外为烧结欧姆接触层(2)和阳极钼片(1)，N2阴极发射区(6)设有阴极表面金属镀层(7)，晶闸管芯片台面设有保护胶层(9)，其特征是：所述的晶闸管芯片N2阴极发射区(6)设有特别阴极区(8)，该区域及其下方的杂质浓度高于N2阴极发射区(6)，并在N2阴极发射区(6)和P2短基区(5)的界面形成阴极沟道(10)。