发明名称 |
电光装置和电子装置 |
摘要 |
本发明的目的是提供一种具有高工作性能和可靠性的EL显示装置。开关TFT(201)形成在具有多栅极结构的像素中,多栅极结构是一种把重要性关注在减少关断电流值的结构。而且,电流控制TFT(202)具有比开关TFT更宽的沟道宽度,以制成适合于电流流动的结构。此外,形成有电流控制TFT(202)的LDD区域(33)以便重叠一栅极(35)的一部分,从而制成一种关注于防止热载波信号注入和降低关断电流值的结构。 |
申请公布号 |
CN100595932C |
申请公布日期 |
2010.03.24 |
申请号 |
CN200510055941.6 |
申请日期 |
2000.06.03 |
申请人 |
株式会社半导体能源研究所 |
发明人 |
山崎舜平;小山润;山本一宇;小沼利光 |
分类号 |
H01L27/32(2006.01)I;H01L51/50(2006.01)I;G09G3/30(2006.01)I |
主分类号 |
H01L27/32(2006.01)I |
代理机构 |
中国专利代理(香港)有限公司 |
代理人 |
张志醒 |
主权项 |
1.一种显示装置,包括:在基片上的由多个像素形成的像素部分,其中每个像素都包含开关薄膜晶体管和电流控制薄膜晶体管;在基片上形成的驱动电路;在开关薄膜晶体管和电流控制薄膜晶体管上形成的层间绝缘膜;在层间绝缘膜上的第一电极;在第一电极上形成的含有机材料的发光层;在含有机材料的发光层上的第二电极;以及以粘合剂对接和固定到基片上的外壳材料,使得在基片和外壳材料之间形成气密性空间,其中像素部分和驱动电路的至少一部分处在被粘合剂围绕的区域中,其中开关薄膜晶体管包括动态层,在动态层中形成串联连接的两个或多个沟道区,其中开关薄膜晶体管的漏极电连接到电流控制薄膜晶体管的栅极,以及其中电流控制薄膜晶体管的漏极电连接到第一电极。 |
地址 |
日本神奈川县 |