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发明名称 MEMORY ELEMENT UTILIZING MAGNETIZATION SWITCHING CAUSED BY SPIN ACCUMULATION AND SPIN RAM DEVICE USING THE MEMORY ELEMENT
摘要
申请公布号 KR100948727(B1) 申请公布日期 2010.03.22
申请号 KR20080047648 申请日期 2008.05.22
申请人 发明人
分类号 G11C11/15 主分类号 G11C11/15
代理机构 代理人
主权项
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