具有ＩＴＯ层的发光二极体以及其制造方法

摘要

本发明关于一种归因于电流扩散至ITO层之效率增加而具有增强之亮度及发光效能的发光二极体，以及一种制造发光二极体之方法。根据本发明，制造包括在基板上之N型半导体层、主动层及P型半导体层的至少一发光单元。本发明之方法包含以下步骤：(a)形成具有形成于P型半导体层之顶面上之ITO层的至少一发光单元；(b)经由乾式蚀刻在ITO层中形成用于线路连接之接触槽；以及(c)以由导电材料制成之接触连接部分来填充接触槽以用于线路连接。

主权项

一种制造发光二极体之方法，所述发光二极体形成有包括在基板上之N型半导体层、主动层以及P型半导体层的至少一发光单元，所述方法包含以下步骤：(a)形成具有形成于所述P型半导体层之顶面上之ITO层的至少一发光单元；(b)经由乾式蚀刻在所述ITO层中形成用于线路连接之接触槽；以及(c)以由导电材料制成之接触连接部分来填充所述接触槽以用于所述线路连接。