| 发明名称 |
半导体装置之处理液、处理方法及半导体制造装置 |
| 摘要 |
本发明之目的，在于提供一种半导体装置之处理液、处理方法及半导体制造装置，可使从半导体基板的原子溶析少，而且能得到乾净、平坦的半导体表面。本发明之特征在于藉由使用含有醇类或酮类其中至少一种的水溶液，以获得一从半导体表面的溶析少，且乾净、平坦的处理液、处理方法及半导体制造装置。 |
| 申请公布号 |
TWI322467 |
申请公布日期 |
2010.03.21 |
| 申请号 |
TW094124057 |
申请日期 |
2005.07.15 |
| 申请人 |
国立大学法人 东北大学 TOHOKU UNIVERSITY 日本;史铁勒杰米华股份有限公司 STELLA CHEMIFA CORPORATION 日本 |
发明人 |
大见忠弘;寺本章伸;菊山裕久;二井启一;山本雅士 |
| 分类号 |
H01L21/304 |
主分类号 |
H01L21/304 |
| 代理机构 |
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代理人 |
周良谋;周良吉 |
| 主权项 |
一种处理液，其特征在于：以含5质量%以上之醇类或酮类其中至少1种的水溶液作为处理液，将半导体表面进行处理，使从半导体溶析出的原子溶析量在15原子层/24小时以下。 |
| 地址 |
日本;日本 |
