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用于形成半导体元件之接触孔的方法
摘要
提供一种形成半导体元件之接触孔的方法。形成复数个传导图案于一基板上。形成一绝缘层于该基板上以埋覆该些传导图案。含有一非晶形碳层与一氧化物系层之硬遮罩依序形成于绝缘层与传导图案上。选择性蚀刻该非晶形碳层与氧化物层以形成一遮罩图案。使用该遮罩图案作为一遮罩蚀刻该绝缘层以形成一接触孔。
申请公布号
TWI322485
申请公布日期
2010.03.21
申请号
TW095120888
申请日期
2006.06.13
申请人
海力士半导体股份有限公司
发明人
李圣权
分类号
H01L21/768
主分类号
H01L21/768
代理机构
代理人
何金涂
主权项
一种形成半导体元件之接触孔的方法,包括:形成复数个传导图案于一基板上;形成一绝缘层于该基板上以埋覆该等传导图案而填满该等传导图案间之间隙;平坦化该绝缘层直至传导图案之顶部部分被曝露出;形成依序含有一非晶形碳层与一氧化物系层之硬遮罩于该绝缘层与传导图案上;选择性蚀刻该非晶形碳层与氧化物层以形成一遮罩图案;及使用该遮罩图案作为一遮罩蚀刻该等传导图案间之该绝缘层以形成一接触孔。
地址
南韩
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