发明名称 |
使用奈米碳管之电子放射装置及电磁波产生装置 |
摘要 |
本创作之目的系提供一种电子放射装置及电磁波产生装置,其系即使在激发能量较小时,亦能实现高的电子放射效率。其系具备:奈米碳管层12,其系形成于SiC基板11上,且由对SiC基板11表面定向化于垂直方向之复数的奈米碳管所构成;MgO层13,其系形成于奈米碳管层12上,且和奈米碳管层12相接触;电阻电极17,其系和奈米碳管层12相连接;电极15,其系于和MgO层13之间夹住空隙14,且相对向于MgO层13而配置;以及电压源16,其系施加电压于电阻电极17和电极15之间。 |
申请公布号 |
TWM376890 |
申请公布日期 |
2010.03.21 |
申请号 |
TW098215259 |
申请日期 |
2009.08.19 |
申请人 |
东南科技大学;刘振源 台北县深坑乡北深路3段152号 东南科技大学 资通系 |
发明人 |
刘振源 台北县深坑乡北深路3段152号 东南科技大学 资通系;林煌彰;黄锦钟 |
分类号 |
H01J1/30 |
主分类号 |
H01J1/30 |
代理机构 |
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代理人 |
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主权项 |
一种电子放射装置,其特征在于具备:奈米碳管层,其系形成于基板上,且由对前述基板表面而定向于垂直方向之复数的奈米碳管所构成;金属氧化物层,其系形成于前述奈米碳管层上,且和前述奈米碳管层相接触;第1电极,其系和前述奈米碳管层相连接;以及第2电极,其系隔开和前述金属氧化物层之间,且相对向而配置。 |
地址 |
台北县深坑乡北深路3段152号 |