发光二极体及发光二极体灯

摘要

一种发光二极体(10)，具备第1传导型之矽单结晶基板(101)、包含由此基板上之Ⅲ族氮化物半导体所构成之第1之pn接面构造部的发光部(40)、设于此发光部上之第1极性的欧姆电极(107b)、及相关于基板而与发光部为相同侧之第2极性的欧姆电极(108)，其构成为：在自基板涵盖至发光部的区域上构成第2之pn接面构造部(30)，同时自与此基板之设有发光部侧为相反侧的基板背面朝向积层方向，而于基板上设置光反射用孔(109)，且由金属膜(110)来覆盖此光反射用孔之内周面及基板的背面。

主权项

一种发光二极体(10)，系具备第1传导型之矽单结晶基板(101)、包含由此矽单结晶基板上之Ⅲ族氮化物半导体所构成之第1之pn接面构造部的发光部(40)、在设于此发光部上之第1传导型之半导体上所形成的第1极性的欧姆电极(107b)、及相关于矽单结晶基板而与发光部为相同侧之在第2传导型之半导体上所形成的第2极性的欧姆电极(108)，其特征为：在涵盖自该第1传导型之矽单结晶基板至发光部的区域中，构成第2之pn接面构造部(30)，同时将光反射用孔(109)自与此矽单结晶基板之设有发光部之侧为相反侧的基板背面朝向积层方向配置于矽单结晶基板上，且由金属膜(110)来覆盖此光反射用孔之内周面及矽单结晶基板的基板背面，第2之pn接面构造部之反向电压比第1之pn接面构造部之顺向电压大，且比其反向电压小。