在半导体形成超薄磁性层的方法

摘要

依据本发明之在半导体形成超薄磁性薄膜的方法，系在选用之半导体基板上，先形成一非磁性金属薄膜，其厚度小于40ML。以本发明实验为例，该非磁性金属之厚度可为0.5-9ML，较好为1-8ML，最佳为1.5-6ML。其后，才在该非磁性金属层上，制作超薄磁性层。依此方式所制成之磁性薄膜，厚度可达到40ML以下，接近超薄之极限。所选用之非磁性金属材料，最好在该磁性材料之形成环境下，与该磁性材料层为不相融(immiscible)。在本发明之实例中，该磁性薄膜之材料为钴，该非磁性金属层之材料为银。本发明并揭示依此方法制得之超薄磁性结构物。

主权项

一种在半导体上形成超薄磁性层的方法，包括下列步骤：制备一半导体基板；在该半导体基板上制备一非磁性层；及在该非磁性层上制备一超薄磁性层；其特征在于，该非磁性层为银，且该磁性层包括至少一种选自钴、铁、镍、铁锰合金或镍铁合金之金属或合金。