包含被选择的参考记忆胞的阻抗性记忆元件以及其操作方法

摘要

一种存取阻抗性记忆元件的方法可包括在耦接到第二字元线的第二阻抗性记忆胞方块的读取操作中，将预定的电压电位施加于耦接到第一阻抗性记忆胞方块的第一字元线。编程电流可经由位于第一方块之第一与第二相对侧的一对相对接的电流源电晶体来进行传导，以使此编程电流经过耦接到第一方块之阻抗性记忆胞的位元线而从第一端传导至第二端，且提供平行于第二方块的编程电流。

主权项

一种存取阻抗性记忆元件的方法，包括：在耦接到第二字元线的第二阻抗性记忆胞方块的读取操作中，将预定的电压电位施加于耦接到第一阻抗性记忆胞方块的第一字元线；以及经由位于所述第一阻抗性记忆胞方块之第一与第二相对侧的一对相对接的电流源电晶体来传导编程电流，使所述编程电流经过耦接到所述第一阻抗性记忆胞方块之阻抗性记忆胞的位元线而从一第一端传导至一第二端，且使所述编程电流平行于所述第二阻抗性记忆胞方块而进行传导。