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发明名称
光电转换基材之形成方法
摘要
一种光电转换基材之形成方法揭露于说明书中。首先,将导电基材置于真空腔体中的晶座上,此真空腔体中具有二氧化钛靶材。之后,加热真空腔体,使其温度维持在70~100℃。接着填充1~10 Pa之电浆气体到真空腔体中,此电浆气体系由氩气与氧气所组成,其中氩气与氧气之流量比为9:1至7:1。最后利用溅镀法形成锐钛矿晶相之二氧化钛层于导电基材上。一种染料敏化太阳能电池的制作方法亦揭露于说明书中。
申请公布号
TWI322510
申请公布日期
2010.03.21
申请号
TW095149541
申请日期
2006.12.28
申请人
财团法人纺织产业综合研究所
发明人
陈宏昌;林文婷;何文贤;安保正一
分类号
H01L31/04
主分类号
H01L31/04
代理机构
代理人
蔡坤财;李世章
主权项
一种光电转换基材之形成方法,包含:将一含有一电极层之可挠式基材置于一真空腔体中之一晶座上,该真空腔体中具有二氧化钛靶材;加热该真空腔体,使该真空腔体之温度维持在70至100℃;填充1~10 Pa之一电浆气体到该真空腔体,该电浆气体系由氩气与氧气所组成,其中氩气与氧气之流量比为9:1至7:1;以及利用溅镀法形成锐钛矿晶相之二氧化钛层于该可挠式基材之电极层上。
地址
台北县土城市承天路6号
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