绝缘体上有矽之结构及其制造方法

摘要

一种绝缘体上有矽之结构的制造方法，此方法是先提供单晶矽基底，所述单晶矽基底的一部分上形成有元件图案，其中所述元件图案具有突出部分。然后，在所述突出部分的一部分上形成保护层。之后，使用热氧化处理在所述突出部分与所述单晶矽基底之间形成氧化物绝缘层。

主权项

一种部分绝缘体上有矽(SOI)之结构的制造方法，包含：提供单晶矽基底，所述上单晶矽基底形成有元件图案其中所述元件图案包含非绝缘体上有矽(非SOI)区域、具有非绝缘体上有矽突出部分的保留非绝缘体上有矽(非SOI)区域和具有突出部分的绝缘体上有矽(SOI)区域；在所述突出部分与所述非绝缘体上有矽区域的一部分上形成保护层，且同时在所述非绝缘体上有矽突出部分上形成保留保护层，其中所述保留保护层位于整个所述非绝缘体上有矽突出部分上以及位于所述单晶矽基底与所述非绝缘体上有矽突出部分相邻的部分上；以及在形成所述保护层以及所述保留保护层之后直接使用热氧化处理，以在所述突出部分与所述单晶矽基底之间形成氧化物绝缘层。