多晶化之光罩及使用多晶化光罩制造薄膜电晶体之方法

摘要

本发明系关于一种制造薄膜电晶体之方法，一非晶矽薄膜系首先地被形成于一绝缘基板上，而一平坦化层被形成于该薄膜上。之后，使用一雷射照射，藉由一固化方法使该非晶矽薄膜被结晶，以形成一多晶矽薄膜。其次，将该多晶矽薄膜及该平坦化层图案化，以形成一半导体层，并使一覆盖于该半导体层之闸绝缘层被形成。然后，使一与该半导体层相对之闸电极被形成于该闸绝缘层上。其次，使杂质被植入至该半导体层内，以相对该闸电极形成彼此相对之一源极区及一汲极区，并使个别地被电连接至该源极区及该汲极区之一源极电极及一汲极电极被形成。

主权项

一种用于雷射照射以将非晶矽转化成多晶矽之多晶矽光罩，该光罩包含：复数个具有一第一透射性之第一透射区；复数个具有一异于该第一透射性之第二透射性之第二透射区；及一不透明区域，其中该等第一及第二透射区具有具宽度及长度之狭缝形状；及其中含有该第一及该第二透射区之该等狭缝，系于一长度方向以一横向间距及于一宽度方向以一纵向间距被配置，以形成复数个以一实质上等于该横向间距之半之第一间距被配置之狭缝行。