| 摘要 |
Die Erfindung betrifft ein Verfahren zur Erhöhung der Spannungsfestigkeit einer elektronischen Schaltungsanordnung bei niedrigen Temperaturen, wobei die Schaltungsanordnung mindestens einen Metalloxidtransistor aufweist und vor dem Anlegen einer Spannung, die in der Nähe der Durchbruchspannung der Metalloxidtransistoren liegt, dieser durch geeignete Maßnahmen auf eine vorbestimmte Temperatur ausgeheizt wird. Die Erfindung betrifft ebenfalls eine Schaltungsanordnung mit einer erhöhten Spannungsfestigkeit bei niedrigen Temperaturen, wobei die Schaltungsanordnung mindestens einen Metalloxidtransistor aufweist und der mindestens eine Metalloxidtransistor aufgeheizt wird, bevor eine Spannung, die in der Nähe der Sperrspannung des Metalloxidtransistors liegt, an ihn angelegt wird.
|
