| 发明名称 | 一种多晶硅预掺杂方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种多晶硅预掺杂方法，具体为：在多晶硅薄膜上沉积一层隔离层，所述隔离层易于从多晶硅薄膜上剥离；在隔离层上覆盖一层光刻胶，并将图形转移到光刻胶上；在进行离子注入后利用干法和湿法去除光刻胶；最后利用湿法去除隔离层。应用本发明方案，由于可以先在多晶硅薄膜上沉积一层隔离层，可以很容易在离子注入后被去除，既可以使多晶硅薄膜不直接与光刻胶等物质接触，又可以彻底去除光刻胶残留物等缺陷，并同时保护多晶硅薄膜不受损伤。 | ||
| 申请公布号 | CN101673674A | 申请公布日期 | 2010.03.17 |
| 申请号 | CN200810222176.6 | 申请日期 | 2008.09.10 |
| 申请人 | 中芯国际集成电路制造（北京）有限公司 | 发明人 | 魏莹璐;何学缅 |
| 分类号 | H01L21/266(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/266(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京德琦知识产权代理有限公司 | 代理人 | 王 琦;王诚华 |
| 主权项 | 1、一种多晶硅预掺杂方法，其特征在于，该方法包括以下步骤：在多晶硅薄膜上沉积一层隔离层，所述隔离层易于从多晶硅薄膜上剥离；在隔离层上覆盖一层光刻胶，并将图形转移到光刻胶上；在进行离子注入后利用干法和湿法去除光刻胶；最后利用湿法去除隔离层。 | ||
| 地址 | 100176北京市经济技术开发区文昌大道18号 | ||