| 发明名称 | 二极管反向电容的测量方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种二极管反向电容的测量方法，包括如下步骤：(1)选取至少三个面积相同、触点密度相同但周长不同的电容，提取边缘电容；(2)选取步骤(1)中的一个电容，再选取与该电容触点密度和周长相同但面积不同的至少两个电容，结合得到的边缘电容提取面积电容；(3)选取步骤(1)和步骤(2)共同使用的电容，再选取与该电容面积和周长相同但触电密度不同的至少两个电容，结合边缘电容和面积电容提取触点电容；(4)根据获得的触点电容和触点密度获得触点电容对触点密度的函数关系；(5)根据得到的函数关系去掉触点电容，获得二极管反向电容数值，进而提取二极管反向电容的模型。本发明可以消除触点电容的影响，减小误差。 | ||
| 申请公布号 | CN101672888A | 申请公布日期 | 2010.03.17 |
| 申请号 | CN200910196125.5 | 申请日期 | 2009.09.22 |
| 申请人 | 上海宏力半导体制造有限公司 | 发明人 | 路向党;许丹 |
| 分类号 | G01R31/26(2006.01)I;G01R27/26(2006.01)I | 主分类号 | G01R31/26(2006.01)I |
| 代理机构 | 上海思微知识产权代理事务所（普通合伙） | 代理人 | 郑 玮 |
| 主权项 | 1、一种二极管反向电容的测量方法，其特征在于，包括如下步骤：(1)选取至少三个面积相同、触点密度相同但周长不同的二极管反向电容，提取二极管反向电容的边缘电容；(2)选取步骤(1)中使用的一个电容，再选取与该电容触点密度和周长相同但面积不同的至少两个二极管反向电容，结合得到的边缘电容提取二极管反向电容的面积电容；(3)选取步骤(1)和步骤(2)共同使用的电容，再选取与该电容面积和周长相同但触电密度不同的至少两个二极管反向电容，结合得到的边缘电容和面积电容提取二极管反向电容的触点电容；(4)以触点电容和触点密度为坐标，根据获得的触点电容和触点密度数据制图，并对数据进行拟合，获得触点电容对触点密度的函数关系；(5)根据触点电容对触点密度的函数关系去掉触点电容，获得二极管反向电容数值，进一步提取二极管反向电容的模型。 | ||
| 地址 | 201203上海市张江高科技圆区郭守敬路818号 | ||