一种克隆生长单壁碳纳米管的方法

摘要

本发明公开了一种克隆生长单壁碳纳米管的方法。该方法是将至少有一端开口的单壁碳纳米管放入化学气相沉积容器中，在所述容器中通入Ar气和H₂，其中Ar气和H₂的气体流量分别为500sccm、300sccm；将所述容器由室温升至到700℃，并恒温稳定10～60分钟，之后升到二次生长温度900～1050℃，达到二次生长温度后关闭Ar气体，继续通300sccm氢气，然后通入碳源，二次生长5～30分钟，得到克隆生长的单壁碳纳米管；所述碳源为下述a)或b)：所述a)为气体流量为50～300sccmCH₄和气体流量为1～20sccm C₂H₄；所述b)为气体流量为50～300sccmCH₄和气体流量为1～20sccm C₂H₄。这种以开口生长机理克隆生长单壁碳纳米管的技术可以推广到其它纳米结构材料的合成中，具有广阔的应用前景。

主权项

1、一种生长单壁碳纳米管的方法，将至少有一端开口的单壁碳纳米管放入化学气相沉积容器中，在所述容器中通入Ar气和H2，其中Ar气的气体流量为500sccm，H2的气体流量为300sccm；将所述容器由室温升至到700℃，并恒温稳定10～60分钟，之后升到二次生长温度900～1050℃，达到二次生长温度后关闭Ar气体，继续通300sccm氢气，然后通入碳源，二次生长5～30分钟，得到从所述至少有一端开口的单壁碳纳米管的端部生长出的与所述至少有一端开口的单壁碳纳米管的直径和螺旋度相同的单壁碳纳米管；所述碳源为下述a)或b)：所述a)为50～300sccmCH4和1～20sccm C2H4混合碳源；所述b)为50～300sccmCH4和1～20sccm C2H4混合碳源。