发明名称 用于高效率串叠型太阳能电池的低电阻隧道结
摘要 一种半导体结构,包括:包含第一材料的第一光伏电池和包含第二材料并与第一光伏电池串联连接的第二光伏电池。邻近第二材料的第一材料的导带边缘高于邻近所述材料的第二材料的价带边缘至多0.1eV。优选地,第一光伏电池的第一材料包含In<sub>1-x</sub>Al<sub>x</sub>N或In<sub>1-y</sub>Ga<sub>y</sub>N,第二光伏电池的第二材料包含硅或锗。或者,第一光伏电池的第一材料包含InAs或InAsSb,第二光伏电池的第二材料包含GaSb或GaAsSb。
申请公布号 CN101675527A 申请公布日期 2010.03.17
申请号 CN200880005279.5 申请日期 2008.04.09
申请人 加利福尼亚大学董事会 发明人 瓦迪斯瓦夫·瓦卢凯维奇;乔尔·W·阿格;余健文
分类号 H01L31/00(2006.01)I;H01L25/00(2006.01)I 主分类号 H01L31/00(2006.01)I
代理机构 北京集佳知识产权代理有限公司 代理人 顾晋伟;王春伟
主权项 1.一种半导体结构,包括:包含第一材料的第一光伏电池;和包含第二材料并与所述第一光伏电池串联连接的第二光伏电池;并且其中与所述第二材料相邻的所述第一材料的导带边缘比与所述材料相邻的所述第二材料的价带边缘高至多0.1eV。
地址 美国加利福尼亚州