浅槽隔离结构的制作方法

摘要

本发明的浅槽隔离结构的制作方法包括以下步骤：在衬底的表面上依次形成衬垫氧化层、多晶硅缓冲掩膜层和硬掩膜层；依次刻蚀衬垫氧化层、多晶硅缓冲掩膜层和硬掩膜层以形成一开口；淀积氧化层，并通过刻蚀去除部分氧化层，在所述开口的两侧形成自对准侧墙；以所述自对准侧墙为掩蔽，在衬底中刻蚀出浅沟槽；去除所述自对准侧墙，此时浅沟槽的顶部尖角得以充分暴露；在所述浅沟槽内生成线性氧化物，所述浅沟槽的顶部尖角在这个过程中得以被充分圆化，同时部分多晶硅缓冲掩膜层被线形氧化物氧化，并形成自对准牺牲氧化物；在所述浅沟槽内填充绝缘介质；去除硬掩膜层、多晶硅缓冲掩膜层和衬垫氧化层，形成浅槽隔离结构。

主权项

1、一种浅槽隔离结构的制作方法，其特征在于，包括以下步骤：在衬底的表面上依次形成衬垫氧化层、多晶硅缓冲掩膜层和硬掩膜层；依次刻蚀衬垫氧化层、多晶硅缓冲掩膜层和硬掩膜层以形成一开口；在所述硬掩膜层的表面以及所述开口内淀积氧化层；通过刻蚀去除硬掩膜层表面的氧化层和衬底表面的部分氧化层，在所述开口的两侧形成自对准侧墙；以所述自对准侧墙为掩蔽，在衬底中刻蚀出浅沟槽；去除所述自对准侧墙，使所述浅沟槽的顶部尖角得以充分暴露；在所述浅沟槽内生成线性氧化物，使所述浅沟槽的顶部尖角被充分圆化，同时所述浅沟槽两侧的部分多晶硅缓冲掩膜层被线形氧化物氧化，形成自对准牺牲氧化物；在所述浅沟槽内填充绝缘介质；去除硬掩膜层和多晶硅缓冲掩膜层，以暴露出自对准牺牲氧化物；去除衬底上的衬垫氧化层，形成浅槽隔离结构。