| 发明名称 | 抛光半导体晶圆的方法 | ||
| 摘要 | 本发明涉及一种用于抛光具有正面和背面的半导体晶圆的方法。该方法包括通过CMP抛光所述半导体晶圆的背面，所述抛光包括以沿着所述半导体晶圆的直径的轮廓产生材料去除，根据所述轮廓所述背面的中心区域的材料去除高于所述背面的边缘区域的材料去除；以及通过CMP抛光所述半导体晶圆的正面，所述抛光包括以沿着所述半导体晶圆的直径的轮廓产生材料去除，根据所述轮廓所述正面的中心区域的材料去除低于所述正面的边缘区域的材料去除。 | ||
| 申请公布号 | CN101670546A | 申请公布日期 | 2010.03.17 |
| 申请号 | CN200910164120.4 | 申请日期 | 2009.08.06 |
| 申请人 | 硅电子股份公司 | 发明人 | C·萨皮尔克;T·耶施克;田畑诚;K·勒特格 |
| 分类号 | B24B29/02(2006.01)I;H01L21/304(2006.01)I | 主分类号 | B24B29/02(2006.01)I |
| 代理机构 | 永新专利商标代理有限公司 | 代理人 | 邬少俊;王 英 |
| 主权项 | 1、一种用于抛光具有正面和背面的半导体晶圆的方法，包括：通过CMP抛光所述半导体晶圆的背面，所述抛光包括以沿着所述半导体晶圆的直径的轮廓产生材料去除，根据所述轮廓所述背面的中心区域的材料去除高于所述背面的边缘区域的材料去除；以及通过CMP抛光所述半导体晶圆的正面，所述抛光包括以沿着所述半导体晶圆的直径的轮廓产生材料去除，根据所述轮廓所述正面的中心区域的材料去除低于所述正面的边缘区域的材料去除。 | ||
| 地址 | 德国慕尼黑 | ||