压电振荡器

摘要

改进了使用蓄积型MOS电容元件的传统压电振荡器中频率稳定性对于时间的劣化。使用P沟道晶体管型或者N沟道晶体管型作为压电振荡器中所使用的可变电容电路中的MOS电容元件。在形成在源区和漏区中的P型或者N型引出电极与设置在N阱区中的N型引出电极或者设置在P阱区中的P型引出电极之间提供偏压。由此消除了MOS电容元件中对于时间的不稳定性。

主权项

1、一种压电振荡器，所述压电振荡器具有通过将放大器、外部频率调节电路、以及压电谐振器串联连接而获得的结构，其中所述外部频率调节电路是使用MOS电容元件的电压的可变电容电路，并且具有这样的配置，其用于将具有恒定电压值的基准信号提供到MOS电容元件的背栅极，并且将控制信号提供到MOS电容元件的栅极，所述控制信号的电压为相对于所述基准信号的电势差从负侧变化到正侧的电压，所述MOS电容元件是形成在第一导电型的阱区中的第二导电型的沟道晶体管，第二导电型与第一导电型相反，所述MOS电容元件构成为具有与恒定电压连接的第二导电型的基板并具有第二导电型的两个引出电极，所述两个引出电极通过短路连接并且形成在第二导电型的沟道晶体管的源区和漏区中，所述MOS电容元件的背栅极是第一导电型的阱区中的第一导电型的引出电极，所述第二导电型的两个引出电极与所述恒定电压连接，所述第二导电型的两个引出电极与所述背栅极之间提供有具有恒定电压值的偏置电压，所述压电振荡器具有所述压电谐振器连接在所述放大器的输入和所述外部频率调节电路之间的结构。