多芯片微插拔封装方法

摘要

一种微型电子封装技术领域的多芯片微插拔封装方法，包括：在上芯片的下表面依次通过光刻图形化工艺和电化学镀工艺加工获得若干凸点，通过电化学镀工艺和薄膜沉积工艺加工获得焊接层；在下芯片的上表面的通孔位置处通过光刻图形化工艺和电镀工艺加工获得若干凸点嵌入口，在凸点嵌入口表面通过电化学镀工艺和薄膜沉积工艺加工获得焊接层；将凸点与凸点嵌入口进行位置对准后在上芯片的上表面施加外力将凸点压进凸点嵌入口，使上芯片通孔内金属填充柱与下芯片通孔内的金属填充柱相接触以完成定位；将上芯片的凸点上的焊接层与下芯片的凸点嵌入口的焊接层进行焊接，实现上芯片与下芯片的电连接。本发明提高了互连结构的稳定性和电性连接稳定性。

主权项

1.一种多芯片微插拔封装方法，其特征在于，包括以下步骤：第一步、两个待封装芯片的封装位分别为上芯片和下芯片，然后在上芯片的下表面的通孔位置处依次通过光刻图形化工艺和电化学镀工艺加工获得若干凸点，在凸点外表面依次通过电化学镀工艺和薄膜沉积工艺加工获得焊接层；第二步、在下芯片的上表面的通孔位置处通过光刻图形化工艺和电镀工艺加工获得若干凸点嵌入口，在凸点嵌入口表面通过电化学镀工艺和薄膜沉积工艺加工获得焊接层；第三步、将凸点与凸点嵌入口进行位置对准后在上芯片的上表面施加外力将凸点压进凸点嵌入口，使上芯片通孔内金属填充柱与下芯片通孔内的金属填充柱相接触以完成定位；第四步、将上芯片的凸点上的焊接层与下芯片的凸点嵌入口的焊接层进行焊接，实现上芯片与下芯片的电连接。