发明名称 图像传感器及其制造方法
摘要 本发明提供了一种图像传感器及其制造方法。图像传感器包括:金属线和层间绝缘层,位于包括读出电路的半导体衬底上;图像检测单元,位于该层间绝缘层上并包括堆叠的第一掺杂层和第二掺杂层;像素分隔单元,穿透该图像检测单元,并根据像素分隔所述图像检测单元;第一金属接触件,穿入所述图像检测单元以及所述层间绝缘层,以接触所述金属线;第一阻挡图案,保护所述第一金属接触件使其不与所述第二掺杂层接触,并向所述第一掺杂层暴露所述第一金属接触件;以及第二金属接触件,位于所述第一金属接触件上方的沟槽中,其中该第二金属接触件电连接至所述第二掺杂层,并通过第二阻挡图案与所述第一金属接触件隔离。
申请公布号 CN101673748A 申请公布日期 2010.03.17
申请号 CN200910169151.9 申请日期 2009.09.11
申请人 东部高科股份有限公司 发明人 金兑圭
分类号 H01L27/146(2006.01)I;H01L23/528(2006.01)I;H01L21/822(2006.01)I;H01L21/768(2006.01)I 主分类号 H01L27/146(2006.01)I
代理机构 隆天国际知识产权代理有限公司 代理人 张浴月;张志杰
主权项 1.一种图像传感器,包括:金属线和层间绝缘层,形成在包括读出电路的半导体衬底上;图像检测单元,位于所述层间绝缘层上并包括堆叠的第一掺杂层和第二掺杂层;像素分隔单元,穿透所述图像检测单元,以根据每个像素将所述图像检测单元分隔开;第一金属接触件,穿入所述图像检测单元以及所述层间绝缘层,所述第一金属接触件电连接至所述金属线;第一阻挡图案,位于所述第一金属接触件的上部侧壁,以将所述第一金属接触件与所述第二掺杂层隔离,且将所述第一金属接触件暴露于所述第一掺杂层;第二阻挡图案,位于所述第一金属接触件上;以及第二金属接触件,形成在所述第一金属接触件上方的沟槽中以电连接至所述第二掺杂层,且通过该第二阻挡图案与所述第一金属接触件隔离。
地址 韩国首尔