| 发明名称 | 一种可擦写的金属-绝缘体-硅电容器结构 | ||
| 摘要 | 本发明属于电容器技术领域，具体为一种可擦写的金属-绝缘体-硅电容器结构。本发明依次采用高温干氧热氧化的SiO<sub>2</sub>薄膜做电荷隧穿层；原子层淀积的HfO<sub>2</sub>/Al<sub>2</sub>O<sub>3</sub>/HfO<sub>2</sub>三明治纳米叠层做电荷俘获层；原子层淀积的Al<sub>2</sub>O<sub>3</sub>薄膜做电荷阻挡层；衬底采用P型单晶硅；金属电极采用磁控溅射反应制备的HfN/TaN双层金属薄膜，其中HfN与电荷阻挡层Al<sub>2</sub>O<sub>3</sub>直接接触。本发明在擦写模式下均能有效遏制通过阻挡层的电子注入，显著提高电容的存储特性，使得电容具有快速的编程/擦除特性，大存储窗口和高电容密度，同时不存在擦除饱和现象。 | ||
| 申请公布号 | CN101673772A | 申请公布日期 | 2010.03.17 |
| 申请号 | CN200910196299.1 | 申请日期 | 2009.09.24 |
| 申请人 | 复旦大学 | 发明人 | 丁士进;陈玮;张敏;张卫 |
| 分类号 | H01L29/94(2006.01)I;H01L21/02(2006.01)I | 主分类号 | H01L29/94(2006.01)I |
| 代理机构 | 上海正旦专利代理有限公司 | 代理人 | 陆 飞;盛志范 |
| 主权项 | 1、一种可擦写的金属-绝缘体-硅电容器结构，其特征在于依次采用高温干氧热氧化的SiO2薄膜做电荷隧穿层；原子层淀积的HfO2/Al2O3/HfO2三明治纳米叠层做电荷俘获层；原子层淀积的Al2O3薄膜做电荷阻挡层；衬底采用P型单晶硅；金属电极采用磁控溅射反应制备的HfN/TaN双层金属薄膜，其中HfN与电荷阻挡层Al2O3直接接触。 | ||
| 地址 | 200433上海市邯郸路220号 | ||